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NIR/RED ENHANCED 6 mm 2 PHOTODIODE-PREAMPLIFIER
ODA-6W-100M
.085
.050 MIN
FEATURES
V out
CASE
.031
.035
GND
( ? .200 PIN CTRS)
+V
–V
? . 370
?. 358
.078
( ? .325)
(.012 MAX)
.163
.028
? . 016
?. 019
? Large active area
? Low noise
? High sensitivity
? Custom gains available
? Hermetically sealed TO-39
SHOWN WITH CAP REMOVED FOR CLARITY
RoHS
R1
C1
IN
–
3
+V
D1
IN +
1
U1
2
4
0.1 ufd
V OUT
–V
0.1 ufd
ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS AT 23°C
PARAMETERS TEST CONDITIONS
Dark Offset V s = ± 5 V
Dark Offset Noise V s = ± 5
BW = 0.1 to 1000 Hz
Sensitivity V s = ± 5 V
λ = 940 nm
Frequency Response (-3 db) V s = ± 5 V
λ = 940 nm
NEP λ = 940 nm
Transimpedence Gain
Supply Current
MIN
55
900
TYP
1.2
198
63
1000
0.08
100
850
MAX
±2
250
950
UNITS
mV
μV rms
V/μW
Hz
pW/√Hz
MΩ
μA
THERMAL PARAMETERS
Voltage Supplies
Power Dissipation
Storage and Operating Temperature
Soldering Temperature (1/16" from case for 3 secconds max)
± 5 to ± 15V
30 mW
–25° to +100° C
+260° C
750 Mitchell Road, Newbury Park, California 91320
Phone: (805) 499-0335, Fax: (805) 499-8108
Email: sales@optodiode.com, Website: www.optodiode.com
Revision February 26, 2013
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